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Circuito Integrado

Circuito integrado

Un circuito integrado es una pastilla o chip en la que se encuentran todos o casi todos los componentes electrónicos necesarios para realizar alguna función. Estos componentes son transistores en su mayoría, aunque también contienen resistencias, diodos, condensadores, etc. El primer circuito integrado o chip fue desarrollado en 1958 por el ingeniero Jack Kilby, justo meses después de haber sido contratado por la firma Texas Instruments. Se trataba de un dispositivo que integraba seis transistores en una misma base semiconductora.
En el año 2000 Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Física por la contribución de su invento al desarrollo de la tecnología de la información. Atendiendo al nivel de integración - número de componentes - los circuitos integrados se clasifican en:
- SSI (Small Scale Integration) pequeño nivel: inferior a 12
- MSI (Medium Scale Integration) medio: 12 a 99
- LSI (Large Scale Integration) grande : 100 a 9999
- VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande : 10 000 a 99 999
- ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande : igual o superior a 100 000 En cuanto a las funciones integradas, los circuitos se clasifican en dos grandes grupos:
- Circuitos integrados analógicos. :Pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin unión entre ellos, hasta dispositivos completos como amplificadores, osciladores o incluso receptores de radio completos.
- Circuitos integrados digitales. :Pueden ser desde simples son puertas lógicas (Y, O, NO) hasta los más complicados como los microprocesadores.

Véase también

- Fabricación de circuitos integrados
- Tecnología de montaje superficial
- TTL
- CMOS
Categoría:Componentes electrónicos Categoría:Tecnología microelectrónica Categoría:Hardware básico ja:集積回路 ko:집적회로 ms:Litar bersepadu simple:Integrated circuit

Resistencia eléctrica

Se denomina resistencia eléctrica de una sustancia a la oposición que encuentra en dicha sustancia la corriente eléctrica para recorrerla. Según sea la magnitud de esta oposición, las sustancias se clasifican en buenas conductoras, conductoras o aislantes eléctricos. La resistencia eléctrica de un conductor es la medida de la oposición que dicho conductor presenta al movimiento de los electrones en su seno, o sea la oposición que presenta al paso de la corriente eléctrica. Depende de la longitud del conductor, de su sección y de la temperatura del mismo. Se calcula por la siguiente expresión:

R =  \; ,

en la que: R = Resistencia l = Longitud s = Sección ρ = Resistividad (Característica para cada material y temperatura) La unidad de resistencia eléctrica es el Ohmio, definido como la resistencia de un conductor en el cual la corriente es de un Amperio cuando la diferencia de potencial entre sus extremos es de un Voltio. Eso se puede ver claramente en la Ley de Ohm:

V =  \; ,

en la que: V = Voltaje
I = Intensidad
R = Resistencia
La Ley de Ohm relaciona la resistencia eléctrica con el Voltaje y la intensidad que circula por un determinado circuito.

Influencia de la temperatura

La variación de la temperatura produce una variación en la resistencia. Generalmente los metales aumentan su resistencia al aumentar su temperatura y en el carbono la resistencia disminuye, por lo que tiene un coeficiente negativo. En algunos materiales que fueron descubiertos por el reconocido cientifico Olver Gomez, la resistencia llega a desaparecer cuando la temperatura baja lo suficiente, en este caso se habla de superconductores. La fórmula para obtener la resistencia a una temperatura determinada R_T es:

R_\cdot(1+\alpha \cdot \Delta T)= R_T

donde
- R₂₀ = Resistencia de referencia a 20ºC.
- α = Coeficiente Olveriano de temperatura de la tabla siguiente
- ΔT = Diferencia de temperatura respecto a lo 20ºC.
- R_T = Resistencia a la temperatura deseada

Véase también

Impedancia Resistor Superconductividad Categoría:Magnitudes físicas Categoría:Electricidad ja:電気抵抗 ko:전기저항

Diodo

Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección. De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con muy pequeña resistencia eléctrica. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.

Válvula de vacío

Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamadas válvulas termoiónicas constituidas por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose Fleming, de la empresa Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.- Al igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a través del que circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El filamento está tratado con óxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vacío circundante; electrones que son conducidos electrostáticamente hacia una placa metálica cargada positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción. Evidentemente, si el ánodo no se calienta, no podrá ceder electrones al vacío circundante, por lo que el paso de la corriente en sentido inverso se ve impedido. Aunque estos diodos aún se emplean en ciertas aplicaciones especializadas, la mayoría de los modernos diodos se basan en el uso de materiales semiconductores.

Diodo pn ó Unión pn

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n, por lo que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el número de electrónes y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0). Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (J_e). electrones Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos. Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V₀) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no está polarizado. Al extremo p, se le denomina ánodo, representándose por la letra A, mientras que la zona n, el cátodo, se representa por la letra C (o K). Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.

Polarización directa

ánodo En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo esté polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos observar que:
- El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.
- El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
- Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
- Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraido por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería. De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante.

Polarización inversa

ánodo En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:
- El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
- El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen sólamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
- Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería. En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fugas es despreciable.

Curva característica del diodo

right
- Tensión umbral, de codo o de partida (V_γ).
La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad.
- Corriente máxima (I_max).
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.
- Corriente inversa de saturación (I_s).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.
- Corriente superficial de fugas.
Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.
- Tensión de ruptura (V_r).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:
- Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para valores de la tensión superiores a 6 V.
- Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·10⁵ V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

Modelos matemáticos

El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es: :

I=I_S \left(  \right)

Donde:
- I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y V_D la diferencia de tensión entre sus extremos.
- I_S es la corriente de saturación
- q es la carga del electrón
- T es la temperatura absoluta de la unión
- k es la constante de Boltzmann
- n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
- El término V_T = kT/q = T/11600 es la tensión debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K ó 27 ºC). Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos más sencillos), en ocasiones se emplean modelos más simples aún, que modelizan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-señal que se muestran en la figura. El más simple de todos (4) es el diodo ideal. center

Otros tipos de diodos semiconductores

- Diodo Zener
- Diodo avalancha
- Diodo LED (e IRED)
- Diodo Varicap
- Fotodiodo
- Diodo Schottky
- Diodo túnel
- Diodo láser

Aplicaciones del diodo

- Rectificador de media onda
- Rectificador de onda completa
- Estabilizador Zener
- Recortador
- Integrador y diferenciador RC
- Circuito fijador
- Multiplicador Categoría:Componentes electrónicos ja:ダイオード ko:다이오드

1958

Siglo: Tabla anual siglo XX (siglo XIX - siglo XX - siglo XXI) Década: Años 1920 - Años 1930 - Años 1940 - Años 1950 - Años 1960 - Años 1970 - Años 1980 Años: 1953 1954 1955 1956 1957 - 1958 - 1959 1960 1961 1962 1963 ----

Acontecimientos

- 23 de enero - Venezuela: Después de dos días de huelga general, un movimiento cívico-miliar derriba a Marcos Pérez Jiménez.
- 1 de febrero - Primer satélite artificial de EE.UU. el Explorer I.
- 28 de octubre - Angelo Giuseppe Roncali es elegido Papa adoptando el nombre de Juan XXIII.
- 18 de diciembre - Primer satélite de comunicaciones Score (EE.UU.)
- 31 de diciembre - Finaliza el Año Geofísico Internacional
- 28 de octubre - Juan XXIII es elegido Papa.
- Creación del Parlamento Europeo en Estrasburgo.
- URSS - Kruschev, primer ministro.

Arte y literatura

- 6 de enero - J. Vidal Cadellans obtiene el premio Nadal por su novela No era de los nuestros.
- Boris Pasternak - Doctor Zivago.

Deporte

- 29 de junio - Suecia: Campeonato mundial de Fútbol: Brasil gana su primera Copa Mundial de Fútbol al ganar en la final a la selección local por 5-2.
- El FC Barcelona se proclama campeón de la primera edición de la Copa de Ferias (futura Copa de la UEFA), al vencer en la final a la Selección de Londres por un global de 8-2. Es el primer título europeo del FC Barcelona.
- Mike Hawthorn se consagra campeón del mundo de Fórmula 1.

Nacimientos

- 21 de abril - Andie MacDowell, actriz estadounidense.
- 20 de marzo - Holly Hunter, actriz estadounidense.
- 7 de junio - Prince, rockero.
- 16 de agosto - Madonna, cantante y actriz estadounidense.
- 18 de agosto - Madeleine Stowe, actriz estadounidense.
- 29 de agosto - Michael Jackson, cantante.
- 31 de octubre - John Jairo Torres de la Pava, cantautor colombiano.

Fallecimientos

- 1 de febrero - Clinton Davisson, físico estadounidense, premio Nobel de Física en 1937.
- 14 de agosto - Jean Frédéric Joliot-Curie, físico francés, premio Nobel de Química en 1935.
- 22 de agosto - Roger Martin du Gard, novelista francés, premio Nobel de Literatura en 1937.
- 27 de agosto - Ernest Lawrence, físico estadounidense, premio Nobel de Física en 1939.
- 24 de noviembre - Robert Cecil, político y diplomático británico, premio Nobel de la Paz en 1937.

Premios Nobel

- Física – Pavel Alekseyevich Cherenkov, Ilya Mikhailovich Frank e Igor Yevgenyevich Tamm
- Química – Frederick Sanger
- Medicina – George Wells Beadle, Edward Lawrie Tatum y Joshua Lederberg
- Literatura – Boris Leonidovich Pasternak
- Paz – Georges Pire ---- Si realiza alguna aportación en este sentido, le rogamos que consulte previamente la sección de plantillas de cronología, para así lograr una coherencia entre todos los autores. Categoría: Siglo XX ja:1958年 ko:1958년 ms:1958 simple:1958 th:พ.ศ. 2501

2000

Siglo: Tabla anual siglo XX (Siglo XIX - Siglo XX - Siglo XXI) Década: Años 1970 - Años 1980 - Años 1990 - Años 2000 - Años 2010 - Años 2020 - Años 2030 Años: 1995 1996 1997 1998 1999 - 2000 - 2001 2002 2003 2004 2005 ---- Año Internacional de una Cultura por la Paz ----

Acontecimientos

Enero

- 1 de enero - Los fallos catastróficos del Y2K ('Efecto 2000') que se habían predicho en los ordenadores de todo el mundo para esta fecha, se niegan a manifestarse, debido en gran parte a un enorme esfuerzo de coordinación internacional que durante varios años se encargó de reemplazar la caducada infraestructura informática.
- 10 de enero - AOL (America On-Line) anuncia un acuerdo para comprar la empresa Time Warner por 162.000 millones de dólares. Es la fusión de empresas más grande de la historia.
- 14 de enero - Un tribunal de las Naciones Unidas sentencia a cinco bosnios croatas a más de 25 años de prisión por la matanza de más de 100 musulmanes en una aldea bosnia en 1993.

Febrero

- 13 de febrero - EE.UU.: se publica la última tira cómica original de Peanuts (traducido por Carlitos y Snoopy), debido al fallecimiento de su autor, Charles Schultz.

Marzo

- 1 de marzo - Finlandia: se reescribe la constitución.
- 11 de marzo - Chile: asume la presidencia de ese país el socialista Ricardo Lagos Escobar
- 12 de marzo - España : el Partido Popular logra la mayoría absoluta en las elecciones legislativas, renovando así José María Aznar su mandato por otros cuatro años.
- 18 de marzo - Taiwán: Chen Shui-bian es elegido presidente.
- 26 de marzo - Rusia: Vladímir Putin es elegido presidente.

Abril

- 1 de abril - Japón: el primer ministro Obuchi Keizo sufre un ataque cerebrovascular y entra en coma.
- 3 de abril - EE.UU.: la empresa de computadores Microsoft pierde un importante juicio legal por violar las leyes de monopolio y haber puesto un "pulgar opresivo" sobre sus competidores.
- 5 de abril - Japón: Mori Yoshiro remplaza a Obuchi como primer ministro.
- 7 de abril - EE.UU.: el submarino de ataque Trepang es completamente reciclado.
- 17 de abril - Perlis (Malasia): Tuanku Syed Sirajuddin es coronado râjâ (rey) tras la muerte de Tuanku Syed Putra.
- 22 de abril - EE.UU.: agentes federales secuestran de manera violenta al cubano Elián González (6) de la casa de sus parientes en Miami (Florida) y lo devuelven a su padre en Cuba, terminando una de las batallas por custodia más publicitadas de EE.UU.
- 25 de abril - EE.UU.: el estado de Vermont decreta la ley HB847, que legaliza las uniones civiles entre parejas del mismo sexo.

Mayo

- 5 de mayo - Conjunción de todos los astros conocidos en la Antigüedad (Mercurio, Venus, Marte, Júpiter, Saturno, la Luna y el Sol).
- 13 de mayo - Países Bajos: una explosión en un depósito de fuegos artificiales en la ciudad de Enschede deja 22 muertos y miles de familias sin vivienda. No pudieron llegar a determinarse las causas de la explosión.
- 13 de mayo - Suecia: se celebra la XLV Edición de Eurovisión, con la victoria del tema danés "Fly On The Wings Of Love", interpretado por el dúo Olsen Brothers.
- 25 de mayo - Líbano: le liberan tierras libanesas después de 22 años de ocupación israelí.

Julio

- 2 de julio - Se inaugura el Estadio Monumental en Lima, (Perú).
- 6 de Julio - México: es elegido presidente el candidato derechista del Partido de Acción Nacional, Vicente Fox. Una oposición no ganaba la presidencia desde Francisco Madero en 1911.
- 10 de julio - Nigeria: en el sur explota un oleoducto matando a más de 250 aldeanos que excavaban para robar gasolina.
- 25 de julio - Francia: uno de los aviones supersónicos Concorde se estrella poco después de su despegue desde París. Mueren las 109 personas que viajaban a bordo y 5 personas más en tierra.

Agosto

- 8 de agosto - EE.UU. el submarino confederado H. L. Hunley es extraído del fondo del océano después de 136 años de su hundimiento.
- 12 de agosto - Rusia: en el mar de Barents se hunde el submarino ruso Kursk.

Septiembre

- 14 de septiembre - Windows ME sale al mercado.
- 28 de septiembre - Dinamarca: los daneses votan en referéndum contra la adopción del euro en ese país.
- 28 de septiembre - Israel: Ariel Sharon con 1000 hombres armados visita el Monte del Templo, provocando un incremento en los desórdenes civiles palestinos, en el ámbito de la Al-Aqsa ('segunda') Intifada (escalada de violencia).

Octubre

- 11 de octubre - EE.UU: 950 millones de litros de fango de carbón se derrama en Martin County (Kentucky). Se considera el desastre ambiental más grande luego del derrame de petróleo del barco Exxon Valdez, en Alaska.
- 12 de octubre - Yemen: en Adén , el USS Cole es severamente dañado cuando dos suicidas detonan un pequeño bote cargado de explosivos junto al destructor de la Marina de los Estados Unidos, matando a diecisiete tripulantes y dejando un saldo de, por lo menos, 39 heridos.
- 12 de octubre - EE.UU.: se cierra la última máquina Multics.

Noviembre

- Noviembre - Iraq: el gobierno de Saddam Husein rechaza las nuevas propuestas del Consejo de Seguridad de la ONU para realizar más inspecciones en busca de armas de destrucción masiva.
- 3 de noviembre - Estación Espacial Internacional: primera tripulación permanente de la Estación, cuyo montaje se había iniciado en 1998.
- 7 de noviembre - EE.UU.: en unas elecciones sospechadas como fraudulentas, el derechista candidato republicano George W. Bush derrota al vicepresidente demócrata Al Gore, pero los resultados finales no se conocerán durante un mes, debido al falaz recuento de los votos en el estado de Florida.
- 7 de noviembre - EE.UU.: Hillary Clinton es elegida senadora. Es la primera Primera Dama estadounidense que obtiene un cargo público.
- 7 de noviembre - Puerto Rico: Sila M. Calderón es electa como primera mujer gobernadora en la historia de Puerto Rico. Con el 48% de los votos derrota al candidato del PNP (Partido Nuevo Progresista, partido que busca la union de PR como estado 51 de los Estados Unidos), Carlos Pesquera, quien obtuvo el 45% de los sufragios y Ruben Berrios del PIP (Partido Independentista Puertorriqueño, partido que busca la soberanía total de PR) . Sila Calderón, del PPD (Partido Popular Democrático, partido que apoya el actual estatus de Estado Libre Asociado con los EEUU) tambien ganó ambos cuerpos legislativos (el Senado y la Camara de Representantes).
- 9 de noviembre - España: fallece el conductor herido de la EMT por el "comando Madrid" de ETA tras nueve días de agonía.
- 9 de noviembre - España: denuncian a Pepe Rei por el vídeo en el que justifica el asesinato de López de Lacalle.
- 9 de noviembre - Estados Unidos: la presidencia pendiente de unos cientos de votos en un segundo recuento.
- 9 de noviembre - España, Repsol YPF triplica sus beneficios por la subida del petróleo.
- 9 de noviembre - España: la Sociedad de Bolsas endurece las condiciones para la ponderación de las empresas que cotizan en el Ibex.
- 9 de noviembre - España cierra la frontera a las reses reproductoras procedentes de Francia e Irlanda por el mal de las vacas locas.
- 9 de noviembre - España: el club de fútbol español FC Barcelona es eliminado de la Liga de Campeones.
- 11 de noviembre - Austria: en Kaprun mueren 155 esquiadores al incendiarse un teleférico en un túnel alpino.
- 14 de noviembre - EE.UU.: se lanza la versión 6.0 del Netscape Navigator tras dos años de desarrollo de fuente abierta, basándose en el navegador de internet Mozilla.
- 16 de noviembre - EE.UU.: Bill Clinton es el primer presidente estadounidense que visita Vietnam (país que EE.UU. trataron infructuosamente de invadir durante la guerra de Vietnam (1964- 1975).
- 17 de noviembre - Perú: el populista Alberto Fujimori es destituido de oficio como presidente, tras 10 años de desfalco de su país.
- 27 de noviembre - Canadá: Jean Chretién es reelegido primer ministro y el partido liberal aumenta su mayoría en la Cámara de los Comunes.

Diciembre

Universitario de Deportes obtuvo el Tricampeonato del torneo descentralizado (1998 - 2000).

Fecha Desconocida

- Reino Unido: se reintroduce la policía armada por primera vez desde 1936.

Nacimientos

Fallecimientos

Enero-Abril

- 9 de enero - Nigel Tranter (90), historiador y escritor escocés.
- 18 de enero - Margarete Schütte-Lihotzky (102), arquitecta austriaca.
- 19 de enero - Bettino Craxi (65), primer ministro italiano entre 1983 y 1987.
- 19 de enero - Hedy Lamarr, actriz estadounidense.
- 26 de enero - A. E. van Vogt, escritor de ciencia ficción.
- 7 de febrero - Big Pun, cantante estadounidense.
- 7 de febrero - Doug Henning, mago estadounidense.
- 11 de febrero - Roger Vadim (72), director de cine francés.
- 12 de febrero - Charles Schultz (77), creador del cómic Carlitos y Snoopy (Peanuts).
- 12 de febrero - Screamin' Jay Hawkins (70), músico de rock estadounidense.
- 19 de febrero - Friedensreich Hundertwasser (71), artista austriaco.
- 21 de febrero - Antonio Díaz Miguel, entrenador de la selección española de baloncesto.
- 22 de febrero - Fernando Buesa (54), político vasco.
- 1 de marzo - Dennis Danell guitarrista estadounidense (Social Distortion).
- 1 de marzo - Doreen Waddell, vocalista estadounidense (Soul II Soul y KLF).
- 20 de marzo - Gene Andrusco, actor y cantante estadounidense.
- 26 de marzo - Alex Comfort, escritor estadounidense (The Joy of Sex).
- 27 de marzo - Ian Dury (57), músico de rock inglés.
- 28 de marzo - Anthony Powell, novelista inglés.
- 6 de abril - Habib Bourguiba, presidente de Túnez entre 1957 y 1997.
- 13 de abril - Giorgio Bassani (84), escritor italiano (El jardín de los Finzi-Continis).
- 16 de abril - Tuanku Syed Putra ibni Almarhum Syed Hassan Jamalullail, râjâ (rey) de Perlis (Malasia) tras un reinado de 55 años.
- 29 de abril - Phạm Văn Ðồng (94), primer ministro de Vietnam del Norte entre 1954 y 1976, y primer ministro de la Vietnam unificada entre 1976 y 1986.

Mayo-Agosto

- 7 de mayo - Douglas Fairbanks Jr., actor estadounidense.
- 14 de mayo - Obuchi Keizo, primer ministro japonés.
- 19 de mayo - Ievgueni Jrunov, cosmonauta ruso.
- 20 de mayo - Jean Pierre Rampal, flautista francés.
- 21 de mayo - John Gielgud, actor inglés.
- 21 de mayo - Barbara Cartland, escritora de novelas románticas estadounidense.
- 10 de junio - Hafez al-Assad, presidente de Siria entre 1971 y 2000.
- 29 de junio - Vittorio Gassmann, actor italiano.
- 1 de julio - Walter Matthau, actor estadounidense.
- 22 de julio - Carmen Martín Gaite, escritora española.
- 30 de julio - Bertil Karlberg, político sueco.
- 5 de agosto - Alec Guinness, actor inglés.
- 25 de agosto - Carl Barks, ilustrador del Pato Donald.

Septiembre-Diciembre

- 20 de septiembre - Guerman Titov (65), cosmonauta ruso.
- 25 de septiembre - R. S. Thomas (87), poeta galés.
- 28 de septiembre - Pierre Trudeau (80), primer ministro de Canadá entre 1968-1979 y 1980-1984.
- 30 de octubre - Steve Allen, comediante, compositor, presentador de programas de entrevistas y escritor.
- 11 de noviembre - Hugh Paddick, actor inglés.
- 23 de diciembre - Víctor Borge (91), humorista y pianista danés-estadounidense.
- 25 de diciembre - Willard Van Orman Quine (92), filósofo estadounidense.

Arte y literatura

- 6 de enero - Lorenzo Silva obtiene el premio Nadal por su novela El alquimista impaciente

Ciencia y tecnología

- 25 de julio - Francia: accidente del avión supersónico Concorde de Air France en París.

Deporte

Juegos Olímpicos

- Se celebran los Juegos Olímpicos de verano en Sidney (Australia).

Fútbol

- Copa Intercontinental: Boca Juniors (Argentina), campeón.
- Liga de Campeones (Champions League): El Real Madrid se proclama campeón al derrotar al Valencia CF por 3-0 en la final de París (Francia).
- Copa de la UEFA: El Galatasaray turco gana la Copa de la UEFA al derrotar al Arsenal FC inglés en la tanda de penalties la final disputada en Copenhague (Dinamarca).
- Copa Libertadores: Boca Juniors (Argentina), campeón, al derrotar en la final al Palmeiras (Brasil).
- Liga española de fútbol: Deportivo de La Coruña, campeón.
- Liga Inglesa (Premier League):
- Liga Italiana (Calcio):
- Liga Alemana (Bundesliga):
- Balón de Oro: El portugués Luis Figo (Real Madrid), proclamado mejor futbolista del mundo del año 2000, según la revista France Football.

Baloncesto

- NBA: Los Ángeles Lakers, campeón, al derrotar en la final a Indiana Pacers por 4-2.
- Copa de Europa de Baloncesto : El Panathinaikos (Grecia), campeón, al derrotar en la final de Tessalonica, Grecia, al Maccabi Tel Aviv (Israel) por 73 a 67.
- Copa Saporta: AEK Atenas (Grecia), campeón al derrotar en la final de Lausanna (Suiza) al Kinder Bolonia italiano por 83-76.
- Copa Korac: Unicaja Baloncesto Málaga, campeón, al derrotar al Limoges en la final a doble partido.
- Liga ACB: Real Madrid, campeón, al derrotar al FC Barcelona en el quinto partido de la final disputado en el Palau Blaugrana de Barcelona.

Balonmano

- Copa de Europa de Balonmano: El FC Barcelona,campeón, hace historia al conseguir su sexta Copa de Europa, y quinta consecutiva.

Tenis

- Abierto de Australia: Campeones Andre Agassi (hombres) y Lindsay Davenport (mujeres).
- Abierto de Francia (Roland Garros):
- Campeonato de Wimbledon:
- Abierto de Estados Unidos:
- Masters:
- Copa Davis: España se proclama campeona y gana su primera ensaladera al derrotar, en el Palau Sant Jordi de Barcelona, a Australia, por 3 a 1. El equipo español está formado por Albert Costa, Alex Corretja, Juan Carlos Ferrero y Joan Balcells.
- Copa Federación: Estados Unidos se proclama campeona al derrotar a España en la final con un contundente 5-0.

Automovilismo

- Fórmula 1: Michael Schumacher se proclama campeón, consiguiendo su tercer título mundial, y el primero con la escudería Ferrari.
- Campeonato del Mundo de Rallys:
- Rally París-Dakar:

Cine

- American Beauty (Kevin Spacey)

Música

- Mark Knopfler - Sailing to Philadelphia
- AC/DC - Stiff Upper Lip
- Björk - Selmasongs
- Bon Jovi - Crush
- The Cure - Bloodflowers
- Eminem - The Marshall Mathers LP
- Enya - A Day Without Rain
- Iron Maiden - Brave New World
- Líbido - Hembra
- Megadeth - Capitol Punishment: The Megadeth Years
- Metallica - S&M (Symphony & Metallica)
- Morbid Angel - Gateways to Annihilation
- Oasis - Standing on the Shoulder of Giants
- Radiohead - Kid A
- The Red Hot Chili Peppers - Californication
- Siniestro Total - La historia del blues
- The Smashing Pumpkins - Machina: The Machines of God
- The Smashing Pumpkins - Machina II: The Friends and Enemies Of Modern Music
- U2 - All That You Can't Leave Behind
- Enrique Bunbury - Pequeño Cabaret Ambulante

Premios Nobel

- Física - Zhores I Alferov, Herbert Kroemer, Jack S Kilby
- Química - Alan J Heeger, Alan G MacDiarmid, Hideki Shirakawa
- Medicina - Arvid Carlsson, Paul Greengard, Eric R Kandel
- Literatura -Gao Xingjian
- Paz - Kim Dae Jung
- Economía - James Heckman, Daniel McFadden

Premios Príncipe de Asturias

- Artes - Barbara Hendricks.
- Ciencias Sociales - Carlo Maria Martini.
- Comunicación y Humanidades - Umberto Eco.
- Concordia - Real Academia Española y Asociación de Academias de la Lengua Española.
- Cooperación Internacional - Fernando Henrique Cardoso.
- Deportes - Lance Armstrong.
- Investigación Científica y Técnica- Luc Montagnier y Robert C. Gallo
- Letras - Augusto Monterroso

Premio Cervantes

- Francisco Umbral

Véase también

- Año cero

Manga

- Tomos 1-5 de Naruto

Anime

Categoría: Siglo XX als:2000 ja:2000年 ko:2000년 ms:2000 simple:2000 th:พ.ศ. 2543 zh-min-nan:2000 nî

Ssi

En matemáticas y lógica, si y sólo si es la implicación doble, la condición necesaria y suficiente. Si tenemos la proposición «p si y sólo si q» queremos decir que p y q son lógicamente equivalentes. Si p entonces q y si q entonces p. Normalmente se usa el símbolo ↔ para denotar esta coimplicación, quedando así: p ↔ q. En español se abrevia sii. Así, la proposición anterior queda «p sii q». Un equivalente lógico de la bicondicionalidad es (p→q) ∧ (q→p). El valor de verdad de una bicondicional es verdadero cuando ambas proposiciones (p y q) tienen el mismo valor de verdad, de lo contrario es falsa. Categoría:Lógica ja:同値

VLSI

Acrónimo inglés de Very Large Scale Integration, integración en escala muy grande. Se suele considerar que, a raíz de la VLSI, entramos en la cuarta generación de ordenadores, en las que el corazón de un ordenador (el microprocesador) está empaquetado en una sola pastilla. Categoría:Acrónimos de informática Categoría:Tecnología microelectrónica

Analógico

Analógico puede referirse a:
- Electrónica analógica
- Señal analógica
- Circuito analógico
- Computador analógico
- Consulta analógico en el wikcionario

Oscilador

Un oscilador es un sistema capaz de crear perturbaciones o cambios periódicos en un medio, ya sea un medio material (sonido) o un campo electromagnético (ondas de radio, infrarrojo, microondas, luz visible, rayos X, rayos gamma, rayos cósmicos). En Electrónica un oscilador es un circuito que es capaz de convertir la corriente continua en una corriente que varía de forma periódica en el tiempo (corriente periódica); estas oscilaciones pueden ser senoidales, cuadradas, triangulares, etc., dependiendo de la forma que tenga la onda producida. Un oscilador de onda cuadrada suele denominarse Multivibrador.
Por lo general, se les llama osciladores sólo a los que funcionan en base al principio de oscilación natural que constituyen una bobina L (inductancia) y un condensador C (Capacitancia), mientras que a los demás se le asignan nombres especiales. Un oscilador electrónico es fundamentalmente un amplificador cuya señal de entrada se toma de su propia salida a través de un circuito de realimentación. Así podemos considerar que esta compuesto por :
- Un circuito oscilante.
- Un elemento amplificador
- Un circuito de realimentación.

Oscilación eléctrica

amplificador amplificador A pesar de no ser un oscilador electrónico tal y como lo hemos definido antes, la primera oscilación a tener en cuenta es la producida por un alternador, el cual, al estar compuesto por un una espira que gira alrededor de su eje longitudinal en el interior de un campo magnético, produce una corriente electréctrica inducida en los terminales de la espiral. Esta corriente eléctrica, si el campo magnético es homogéneo, tiene forma senoidal. Así, si la espira gira a 3000 rpm, la frecuencia de la corriente alterna inducida es de 50 alternador o inductivos. Estos elementos tienen la capacidad de almacenar carga electrica en su interior (cargarse eléctricamente) y descargarse cuando la carga que los alimentaba ha desaparecido. El ejemplo más simple de oscilador es el compuesto por una bobina, un condensador, una batería y un conmutador. Inicialmente el conmutador se haya en su posición izquierda, de forma que el condensador C se carga con la corriente que proporciona la batería V. Transcurrido cierto tiempo el conmutador se pasa a la posición derecha. Como la bobina no posee ninguna carga y el condensador está totalmente cargado, este último se descarga completamente hacia la bobina, una vez que el condensador se ha descargado completamente es ahora la bobina la que se descarga sobre el condensador, no parandose hasta que la carga en la bobina es cero y el condensador por lo tanto vuelve a estar cargado. Este proceso se repite hasta que la energía almacenada por uno y otro se consume en forma de calor. Este proceso puede representarse gráficamente empleando un eje cartesiano X-Y en el que el eje X representa el tiempo y el eje Y el valor de la corriente eléctrica que circula por la bobina y las tensiones en los bornes del condensador. Si lo dibujamos podemos apreciar como se produce un continuo intercambio de energía entre el condensador y la bobina. La substracción de energía producida por la resistencia de la bobina y el condensador (lo que provoca el calentamiento de los componentes) es lo que hace que este proceso no sea infinito. En la gráfica se puede apreciar como el desfase de tensiones existente entre bornes de la bobina es siempre de sentido opuesto a la existente en el condensador. Este desfase es de 180º entre tensiones, existiendo un desfase de 90º entre la corriente que circula por la bobina y la tensión existente. Esta señal se va amortiguando con el tiempo, hasta que acaba extinguiéndose transcurrido un periodo de tiempo bastante corto. Un circuito electrónico que sea capaz de volver a cargar eléctricamente uno de los componentes permitirá hacer un proceso de oscilación constante. Oscilación, Oscilador LC, Oscilador RF, Multivibrador, Oscilador RC. Categoría:Osciladores

Digital

#Señal digital: Señal que utiliza valores discretos en lugar de un espectro continuo de valores. #Digital: Planta venenosa (digitalis purpurea). #Digital: Fármaco obtenido de planta (digitalis purpurea).

Puerta lógica

Una puerta lógica, o compuerta lógica, es un dispositivo electrónico que es la expresión física de un operador booleano en la lógica de conmutación. Cada puerta lógica consiste en una red de dispositivos interruptores que cumple las condiciones booleanas para el operador particular. Son esencialmente circuitos de conmutación integrados en un chip. Claude Elwood Shannon experimentaba con relés o interruptores electromagnéticos para conseguir las condiciones de cada compuerta lógica, por ejemplo, para la función booleana Y (AND) colocaba interruptores en circuito serie, ya que con uno solo de éstos que tuviera la condición "abierto", la salida de la compuerta Y sería = 0, mientras que para la implementación de una compuerta O (OR), la conexión de los interruptores tiene una configuración en circuito paralelo. La tecnología microelectrónica actual permite la elevada integración de transistores actuando como conmutadores en redes lógicas dentro de un pequeño circuito integrado. El chip de la CPU es una de las máximas expresiones de este avance tecnológico. =Lógica directa=

Puerta SI (IF)

CPU La puerta lógica SI, realiza la función booleana igualdad. En la práctica se suele utilizar como amplificador de corriente (buffer en inglés). La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta SI es:

F = A \,

Su tabla de verdad es la siguiente:

Puerta Y (AND)

tabla de verdad La puerta lógica Y, más conocida por su nombre en inglés AND, realiza la función booleana de producto lógico. Su símbolo es un punto (·), aunque se suele omitir. Así, el producto lógico de las variables A y B se indica como AB, y se lee A y B o simplemente A por B. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta AND es:

F = AB\,

Su tabla de verdad es la siguiente: Su definición se puede dar, como una compuerta que entrega un 1 lógico sólo si todas las entradas están a nivel alto 1.

Puerta O (OR)

tabla de verdad La puerta lógica O, más conocida por su nombre en inglés OR, realiza la operacion de suma lógica. Su símbolo es el más (+). Así la suma lógica de las variables A y B se indica como A + B y se lee A o B o simplemente A más B. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta OR es:

F = A + B\,

Su tabla de verdad es la siguiente: Podemos definir la puerta O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico si al menos una de sus entradas está a 1.

Puerta OR-exclusiva (XOR)

tabla de verdad La puerta lógica O-exclusiva, más conocida por su nombre en inglés XOR, realiza la función booleana A'B+AB'. Su símbolo es el más (+) inscrito en un círculo. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XOR es:

F = A \oplus B\,

Su tabla de verdad es la siguiente: Se puede definir esta puerta como aquella que proporciona un 1, sólo si las dos entradas son distintas, esto es, 1 y 0 ó 0 y 1. =Lógica negada=

Puerta NO (NOT)

tabla de verdad La puerta lógica NO (NOT en inglés) realiza la función booleana de inversión o negación de una variable lógica. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOT es:

F=\overline\,

Su tabla de verdad es la siguiente: Se puede definir como una puerta que proporciona el estado inverso del que esté en su entrada.

Puerta NO-Y (NAND)

ecuación La puerta lógica NO-Y, más conocida por su nombre en inglés NAND, realiza la operación de producto lógico negado. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NAND es:

F = \overline=\overline+\overline\,

Su tabla de verdad es la siguiente: Podemos definir la puerta NO-Y como aquella que proporciona a su salida un 0 lógico únicamente cuando todas sus entradas están a 1.

Puerta NO-O (NOR)

tabla de verdad La puerta lógica NO-O, más conocida por su nombre en inglés NOR, realiza la operacion de suma lógica negada. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOR es:

F = \overline=\overline\times\overline\,

Su tabla de verdad es la siguiente: Podemos definir la puerta NO-O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico sólo cuando todas sus entradas están a 0. La puerta lógica NOR constituye un conjunto completo de operadores.

Puerta equivalencia (XNOR)

tabla de verdad La puerta lógica equivalencia, más conocida por su nombre en inglés XNOR, realiza la función booliana AB+A'B'. Su símbolo es un punto (·) inscrito en un círculo. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XOR es:

F = \overline\,

Su tabla de verdad es la siguiente: Se puede definir esta puerta como aquella que proporciona un 1 lógico, sólo si las dos entradas son iguales, esto es, 0 y 0 ó 1 y 1. =Puertas lógicas triestado= Las puertas lógicas triestado (de tres estados), son un tipo de puertas es las cuales la salida tiene, además de los niveles alto y bajo, un tercer estado de alta impedancia normalmente representado por Z. El estado Z se implementa únicamente para facilitar el diseño de los circuitos, y no contiene ninguna información. Esta característica se utiliza en circuitos en los cuales las salidas de varias puertas lógicas se conectan a una única entrada, (evitando así un cortocircuito). Una entrada de control activa una única salida a la vez, dependiendo de la operación lógica requerida por el diseñador, mientras que las otras salidas se mantienen en el estado Z de alta impedancia (también denominado 'deshabilitado'). =Véase también=
- Álgebra de Boole
- Mapa de Karnaugh
- Diagrama de Venn
- Circuito integrado
- Condición de carrera Categoría:Componentes electrónicos Categoría:Hardware básico ja:論理回路

Fabricación de circuitos integrados

Fabricar un circuito integrado es un proceso complejo y en el que intervienen numerosas etapas. Cada fabricante tiene sus propias técnicas que guardan como secreto de empresa, aunque las técnicas son parecidas. Los dispositivos integrados pueden ser tanto analógicos como digitales, aunque todos tienen como base un material semiconductor, normalmente el silicio.

Ejemplo de fabricación de un transistor

En la siguiente figura se muestra detalladamente el proceso de fabricación de un transistor MOS (MOSFET). No es la única forma de hacerlo, pero es un proceso típico: # Se parte de la oblea de material semiconductor. # Se hace crecer una capa me óxido (zona rallada) que servirá como aislante. # Se deposita un dieléctrico como el nitruro (capa roja) que servirá como máscara, también se podía usar simplemente el óxido anterior como máscara, depende del grosor y de los procesos siguientes. # Se deposita una capa de resina sensible a la radiación (capa negra), típicamente a la radiación luminosa. Se hace incidir la luz para cambiar las características de la resina en algunas de sus partes. Para ello sirven de ayuda las máscaras hechas antes con herramientas CAD. # Mediante procesos de atacado algunas zonas de la resina son eliminadas y otras permanecen. # Se vuelve a atacar, esta vez el nitruro. Este paso se podía haber hecho junto al anterior. # Implantación iónica a través del óxido. # Se crean las zonas que aislaran el dispositivo de otros que pueda haber cerca (zonas azules). # Se crece más óxido, con lo que éste empuja las zonas creadas antes hacia el interior de la oblea para conseguir un mejor aislamiento. # Eliminación del nitruro y parte del óxido. # Se hace crecer una fina capa de óxido de alta calidad que servirá de óxido de puerta al transistor. # Deposición de una capa de polisilicio (capa verde oscuro) mediante procesos fotolitográficos análogos a los vistos en los puntos 1 al 5. Este polisilicio será el contacto de puerta del transistor. # Atacado del óxido para crear ventanas donde se crearán las zonas del drenador y surtidor. El polisilicio anterior servirá de máscara al óxido de puerta para no ser eliminado. # Implantación iónica con dopantes que sirven para definir el drenador y el surtidor. El polisilicio vuelve a hacer de máscara para proteger la zona del canal. # Vemos en verde claro las zonas de drenador y surtidor. # Se deposita una capa de aislante (zona gris). # Mediante procesos fotolitográficos como los vistos antes se ataca parte del óxido. # Se deposita una capa metálica que servirá para conectar el dispositivo a otros. # Se ataca de la forma ya conocida el metal (capa azul oscuro) para dejar únicamente los contactos. El contacto de puerta no se muestra en la figura porque es posterior al plano que se muestra.

Imagen:fabricacion_CI.PNG

Pasos para fabricar un MOS
Una vez que se diseñan los transistores se hace el juego de máscaras de las metalizaciones que es la forma de conectar los transistores para formar estructuras más complicadas, como puertas lógicas. En la siguiente figura se puede ver el juego de máscaras de una Puerta OR de dos entradas. El diseño es CMOS.
- Las líneas azules ralladas son metalizaciones
- Las líneas rojas es polisilicio
- Las zonas amarillo y verde con puntos son zonas P+ y N+ respectivamente
- Las líneas azules sin relleno delimitan zonas N Junto a cada transistor se especifican las dimensiones de su canal. El diseño cumple las reglas CN20.

Imagen:OR2_layout.PNG

Layout de una Puerta OR con el programa LASI
La última fase en la fabricación es encapsularlo en el chip y soldar los pines.

Procesos que pueden intervenir en la fabricación de circuitos integrados

- Crecimiento epitaxial
- Oxidación en semiconductores
- Implantación iónica
- Difusión en estado sólido
- Deposición en semiconductores
- Litografía

Véase también

- Transistor
- VLSI
- Física del estado sólido
- CN20
- Mosis
- Diseño CMOS Categoría:Tecnología microelectrónica

TTL

Las siglas TTL se pueden referir a uno de estos conceptos
- Tiempo de Vida (Time To Live), cuando se habla de Protocolo IP; o a
- Tecnología TTL (de Transistor-Transistor Logic), la primera tecnología de construcción de circuitos electrónicos digitales que existió. ja:TTL

Categoría:Componentes electrónicos

Categoría:electrónica Categoría:Ingeniería eléctrica ja:Category:電子部品 ko:분류:전자 부품

Categoría:Hardware básico

Hardware más básico que constituye un ordenador y los medios para comunicarse con el resto de los componentes (USB, PCI, PCI-Express,.. ) Basico

Enarkoj

La enarkoj estas la studentoj kaj eks-studentoj de la Ecole Nationale d'Administration (Nacia Administra Lernejo) kiu estas franca lernejo fondita je 1945 de Michel DEBRE por instrui la francajn altnivelajn administrantojn. Multaj politikistoj estas enarkoj (Lionel JOSPIN, Jacques CHIRAC, François HOLLANDE, k.t.p.). ---- Vidu la paĝon de ENA : http://www.ena.fr

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ವಿಚಿತ್ರವೀಣೆ
ವಿಚಿತ್ರ ವೀಣೆ ಕರ್ನಾಟಕ ಸ೦ಗೀತ ಮತ್ತು ಹಿ೦ದುಸ್ತಾನಿ ಸ೦ಗೀತ ಪದ್ಧತಿಗಳಲ್ಲಿ ಉಪಯೋಗಿಸಲ್�

Circuito integrado

Véase también

Resistencia eléctrica

Influencia de la temperatura

Véase también

Diodo

Válvula de vacío

Diodo pn ó Unión pn

Polarización directa

Polarización inversa

Curva característica del diodo

Modelos matemáticos

Otros tipos de diodos semiconductores

Aplicaciones del diodo

1958

Acontecimientos

Arte y literatura

Deporte

Nacimientos

Fallecimientos

Premios Nobel

2000

Acontecimientos

Enero

Febrero

Marzo

Abril

Mayo

Julio

Agosto

Septiembre

Octubre

Noviembre

Diciembre

Fecha Desconocida

Nacimientos

Fallecimientos

Enero-Abril

Mayo-Agosto

Septiembre-Diciembre

Arte y literatura

Ciencia y tecnología

Deporte

Juegos Olímpicos

Fútbol

Baloncesto

Balonmano

Tenis

Automovilismo

Motociclismo

Ciclismo

Otros deportes

Cine

Música

Premios Nobel

Premios Príncipe de Asturias

Premio Cervantes

Véase también

Manga

Anime

Ssi

VLSI

Analógico

Oscilador

Oscilación eléctrica

Digital

Puerta lógica

Puerta SI (IF)

Puerta Y (AND)

Puerta O (OR)

Puerta OR-exclusiva (XOR)

Puerta NO (NOT)

Puerta NO-Y (NAND)

Puerta NO-O (NOR)

Puerta equivalencia (XNOR)

Fabricación de circuitos integrados

Ejemplo de fabricación de un transistor

Procesos que pueden intervenir en la fabricación de circuitos integrados

Véase también

TTL